標準編號:	GB/T 1551-2009
中文名稱:	硅單晶電阻率測定方法
英文名稱:	Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon
中標分類:	H80    半金屬與半導體材料綜合
行業分類:	GB    國家標準
ICS分類:	29.045 29.045    半導體材料 29.045
發布機構:	中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
發布日期:	2009-10-30
實施日期:	2010-6-1
標準狀態:	superseded
被新標準替代:	GB/T 1551-2021 硅單晶電阻率的測定　直排四探針法和直流兩探針法
被替代日期:	2021-12-1
替代舊標準:	GB/T 1552-1995 硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法 GB/T 1551-1995 硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法
翻譯語言:	英文
文件格式:	PDF
中文字符數:	20000 字
翻譯價格(元):	1920.0
交付時間:	付款后 1~3 個工作日

本方法規定了用直排四探針法測量硅單晶電阻率的方法。
本方法適用于測量試樣厚度和從試樣邊緣與任一探針端點的最近距離二者均大于探針間距的4倍的硅單晶體電阻率以及測量直徑大于探針間距10倍、厚度小于探針間距4倍的硅單晶圓片的電阻率。