標(biāo)準(zhǔn)編號(hào):	GB/T 1551-1995
中文名稱(chēng):	硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流兩探針?lè)?
英文名稱(chēng):	Test method for resistivity of silicon and germanium bars using a two-point probe
中標(biāo)分類(lèi):	H21    金屬物理性能試驗(yàn)方法
行業(yè)分類(lèi):	GB    國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
ICS分類(lèi):	77.040.30 77.040.30    金屬材料化學(xué)分析 77.040.30
發(fā)布機(jī)構(gòu):	國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局
發(fā)布日期:	1995-04-18
實(shí)施日期:	1995-1-2
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):	superseded
被新標(biāo)準(zhǔn)替代:	GB/T 1551-2009 硅單晶電阻率測(cè)定方法
被替代日期:	2010-6-1
替代舊標(biāo)準(zhǔn):	GB 1551-1979 硅單晶電阻率直流二探針測(cè)量方法 GB 5253-1985 鍺單晶電阻率直流兩探針測(cè)量方法
翻譯語(yǔ)言:	英文
文件格式:	PDF
中文字符數(shù):	12000 字
翻譯價(jià)格(元):	1800.0
交付時(shí)間:	付款后 1~3 個(gè)工作日

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用直流兩探針測(cè)量硅和鍺單晶錠電阻率的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量截面積均勻的圓形、方形或矩形單晶錠的電阻率。