標準編號:	GB/T 1552-1995
中文名稱:	硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法
英文名稱:	Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon and germanium with a collinear four-probe array
中標分類:	H21    金屬物理性能試驗方法
行業分類:	GB    國家標準
ICS分類:	77.040.30 77.040.30    金屬材料化學分析 77.040.30
發布機構:	國家技術監督局
發布日期:	1995-04-18
實施日期:	1995-1-2
標準狀態:	superseded
被新標準替代:	GB/T 1551-2009 硅單晶電阻率測定方法
被替代日期:	2010-6-1
替代舊標準:	GB 1552-1979 硅單晶電阻率直流四探針測量方法 GB 5251-1985 鍺單晶電阻率直流四探針測量方法 GB 6615-1986 硅片電阻率的直排四探針測試方法
翻譯語言:	英文
文件格式:	PDF
中文字符數:	16000 字
翻譯價格(元):	1360.0
交付時間:	付款后 1~3 個工作日

本標準規定了用直排四探針測量硅、鍺單晶電阻率的方法。本標準適用于測量試樣厚度和從試樣邊緣與任一探針端點的最近距離二者均大于探針間距的4倍的硅、鍺單晶的體電阻率以及測量直徑大于探針間距的10倍、厚度小于探針間距4倍的硅、鍺單晶圓片（簡稱圓片）的電阻率。