標準編號:	GB/T 4326-2006
中文名稱:	非本征半導體單晶霍爾遷移率和霍爾系數測量方法
英文名稱:	Extrinsic semiconductor single crystals measurement of Hall mobility and Hall coefficient
中標分類:	H21    金屬物理性能試驗方法
行業分類:	GB    國家標準
ICS分類:	77.040.01 77.040.01    金屬材料試驗綜合 77.040.01
發布機構:	中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局、中國國家標準化管理委員會
發布日期:	2006-7-18
實施日期:	2006-11-1
標準狀態:	valid
替代舊標準:	GB/T 4326-1984 非本征半導體單晶霍爾遷移率和霍爾系數測量方法
翻譯語言:	英文
文件格式:	PDF
中文字符數:	12000 字
翻譯價格(元):	1200.0
交付時間:	付款后 1~3 個工作日

本標準規定的測量方法適用于非本征半導體單晶材料的霍爾系數、載流子霍爾遷移率、電阻率和載流子濃度。 本標準規定的測量方法僅在有限的范圍內對鍺、硅、砷化鎵單晶材料進行了實驗室測量，但該方法也可適用于其他半導體單晶材料，一般情況下，適用于室溫電阻率高達104Ω·cm