標準編號:	GB/T 4326-1984
中文名稱:	非本征半導體單晶霍爾遷移率和霍爾系數測量方法
英文名稱:	Extrinsic semiconductor single crystals; Measurement of Hall mobility and Hall coefficient
中標分類:	H21    金屬物理性能試驗方法
行業分類:	GB    國家標準
發布機構:	國家標準局
發布日期:	1984-04-12
實施日期:	1985-3-1
標準狀態:	superseded
被新標準替代:	GB/T 4326-2006 非本征半導體單晶霍爾遷移率和霍爾系數測量方法
被替代日期:	2006-11-1
作廢日期:	2006-11-01
翻譯語言:	英文
文件格式:	PDF
中文字符數:	10000 字
翻譯價格(元):	600.0
交付時間:	付款后 1~3 個工作日

本標準適用于在非本征半導體單晶試樣中確定載流子霍爾遷移率。為獲得霍爾遷移率必須測量電阻率和霍爾系數，因此本標準也分別適用于這些參數的測量。本方法僅在有限的范圍內和對鍺、硅和砷化鎵進行了實驗室測量，但該方法也可適用于其他半導體單晶材料。所述的測量技術至少適用于室溫電阻率高達104Ωcm的試樣。