標(biāo)準(zhǔn)編號(hào):	GB/T 14141-2009
中文名稱:	硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的測(cè)定 直排四探針法
英文名稱:	Test method for sheet resistance of silicon epitaxial,diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
中標(biāo)分類:	H80    半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
行業(yè)分類:	GB    國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
ICS分類:	29.045 29.045    半導(dǎo)體材料 29.045
發(fā)布機(jī)構(gòu):	中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
發(fā)布日期:	2009-10-30
實(shí)施日期:	2010-6-1
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):	valid
替代舊標(biāo)準(zhǔn):	GB/T 14141-1993 硅外延層,擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的測(cè)定 直排四探針法
翻譯語言:	英文
文件格式:	PDF
中文字符數(shù):	10000 字
翻譯價(jià)格(元):	600.0
交付時(shí)間:	付款后 1~3 個(gè)工作日

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用直排四探針測(cè)量硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量直徑大于15.9mm 的由外延、擴(kuò)散、離子注入到硅片表面上或表面下形成的薄層的平均薄層電阻。硅片基體導(dǎo)電類型與被測(cè)薄層相反。適用于測(cè)量厚度不小于0.2μm 的薄層,方塊電阻的測(cè)量范圍為10Ω~5000Ω。該方法也可適用于更高或更低阻值方塊電阻的測(cè)量,但其測(cè)量精確度尚未評(píng)估。