標準編號:	GB/T 14141-1993
中文名稱:	硅外延層,擴散層和離子注入層薄層電阻的測定 直排四探針法
英文名稱:	Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
中標分類:	H21    金屬物理性能試驗方法
行業分類:	GB    國家標準
發布機構:	國家技術監督局
發布日期:	1993-02-06
實施日期:	1993-10-1
標準狀態:	superseded
被新標準替代:	GB/T 14141-2009 硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定 直排四探針法
被替代日期:	2010-6-1
作廢日期:	2010-06-01
翻譯語言:	英文
文件格式:	PDF
中文字符數:	5000 字
翻譯價格(元):	880.0
交付時間:	付款后 1~3 個工作日

本標準規定了用直排四探針測量硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的方法。本標準適用于測量直徑大于10.0mm用外延、擴散、離子注入到硅圓片表面上或表面下形成的薄層的平均薄層電阻。硅片基體導電類型與被測薄層相反。對于厚度為0.2~3μm的薄層，測量范圍為250~5000Ω；對于厚度不小于3μm的薄層，薄層電阻的測量下限可達10Ω。