標(biāo)準(zhǔn)編號:	GB/T 13389-2014
中文名稱:	摻硼摻磷摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程
英文名稱:	Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped,phosphorus-doped,and arsenic-doped silicon
中標(biāo)分類:	80
行業(yè)分類:	GB    國家標(biāo)準(zhǔn)
ICS分類:	29.045 29.045    半導(dǎo)體材料 29.045
發(fā)布機(jī)構(gòu):	中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
發(fā)布日期:	2014-12-31
實施日期:	2015-9-1
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):	valid
替代舊標(biāo)準(zhǔn):	GB/T 13389-1992 摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程
翻譯語言:	英文
文件格式:	PDF
中文字符數(shù):	29000 字
翻譯價格(元):	1740.0
交付時間:	付款后 1~5 個工作日

　　本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了摻硼、摻磷、摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度之間的換算關(guān)系，該換算關(guān)系也適用于摻銻硅單晶，還可擴(kuò)展至硅中激活能與硼、磷相似的其他摻雜劑。
　　
本標(biāo)準(zhǔn)適用于摻硼濃度1014 cm-3～1×1020cm-3，摻磷濃度3×1013 cm-3～1×1020 cm-3，摻砷濃度1019 cm-3～6×1020cm-3。對摻硼、摻磷的硅單晶摻雜劑濃度可擴(kuò)展到1012cm-3。
本標(biāo)準(zhǔn)也可用于在23℃下從硅單晶電阻率到載流子濃度的換算，但不包括對砷摻雜劑的載流子濃度換算，或任何其他載流子濃度的換算。