標(biāo)準(zhǔn)編號(hào):	GB/T 13389-1992
中文名稱:	摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程
英文名稱:	Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped and phosphorus-doped silicon
中標(biāo)分類:	H21    金屬物理性能試驗(yàn)方法
行業(yè)分類:	GB    國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
發(fā)布機(jī)構(gòu):	中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局
發(fā)布日期:	1992-2-19
實(shí)施日期:	1992-10-1
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):	superseded
被新標(biāo)準(zhǔn)替代:	GB/T 13389-2014 摻硼摻磷摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程
被替代日期:	2015-9-1
作廢日期:	2015-09-01
翻譯語言:	英文
文件格式:	PDF
中文字符數(shù):	15000 字
翻譯價(jià)格(元):	1170.0
交付時(shí)間:	付款后 1~3 個(gè)工作日

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了23℃時(shí)摻硼摻磷硅單晶電阻率和摻雜劑濃度間的換算方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于摻雜劑濃度1012～1021cm-3(電阻率0.0001~10，000Ω?cm)摻硼硅單晶和1012~5×1020cm-3(電阻率0.0002~4,000Ω?cm)摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度的換算，也可擴(kuò)展到硅中激活能與硼、磷相似的其他摻雜劑。