標(biāo)準(zhǔn)編號(hào):	GB/T 30867-2014
中文名稱:	碳化硅單晶片厚度和總厚度變化測試方法
英文名稱:	Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers
中標(biāo)分類:	H83    化合物半導(dǎo)體材料
行業(yè)分類:	GB    國家標(biāo)準(zhǔn)
ICS分類:	29.045 29.045    半導(dǎo)體材料 29.045
發(fā)布機(jī)構(gòu):	中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
發(fā)布日期:	2014-07-24
實(shí)施日期:	2015-2-1
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):	valid
翻譯語言:	英文
文件格式:	PDF
中文字符數(shù):	7000 字
翻譯價(jià)格(元):	420.0
交付時(shí)間:	付款后 1~3 個(gè)工作日

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了碳化硅單晶片厚度及總厚度變化(TTV)的測試方法,包括接觸式和非接觸式兩種方式。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于直徑不小于30mm、厚度為0.13mm~1mm 的碳化硅單晶片