標(biāo)準(zhǔn)編號(hào):	GB/T 24581-2009
中文名稱:	低溫傅立葉變換紅外光譜法測(cè)量硅單晶中III、V族雜質(zhì)含量的測(cè)試方法
英文名稱:	Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities
中標(biāo)分類:	H80    半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
行業(yè)分類:	GB    國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
ICS分類:	29.045 29.045    半導(dǎo)體材料 29.045
發(fā)布機(jī)構(gòu):	中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
發(fā)布日期:	2009-10-30
實(shí)施日期:	2010-6-1
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):	superseded
被新標(biāo)準(zhǔn)替代:	GB/T 24581-2022 硅單晶中III、V族雜質(zhì)含量的測(cè)定 低溫傅立葉變換紅外光譜法
被替代日期:	2022-10-1
翻譯語(yǔ)言:	英文
文件格式:	PDF
中文字符數(shù):	10000 字
翻譯價(jià)格(元):	600.0
交付時(shí)間:	付款后 1~3 個(gè)工作日

本標(biāo)準(zhǔn)適用于檢測(cè)硅單晶中的電活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、鋁(Al)、銻(Sb)和鎵(Ga)的含量。
本標(biāo)準(zhǔn)所適用的硅中每一種電活性元素雜質(zhì)或摻雜劑濃度范圍為(0.01×10-9~5.0×10-9)a。