標準編號:	GB/T 1554-2009
中文名稱:	硅晶體完整性化學擇優腐蝕檢驗方法
英文名稱:	Testing method for crystallographic perfection of silicon by preferential etch techniques
中標分類:	H80    半金屬與半導體材料綜合
行業分類:	GB    國家標準
ICS分類:	29.045 29.045    半導體材料 29.045
發布機構:	中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國家標準化管理委員會
發布日期:	2009-10-30
實施日期:	2010-6-1
標準狀態:	valid
替代舊標準:	GB/T 1554-1995 硅晶體完整性化學擇優腐蝕檢驗方法
翻譯語言:	英文
文件格式:	PDF
中文字符數:	20000 字
翻譯價格(元):	1920.0
交付時間:	付款后 1~3 個工作日

本標準規定了用擇優腐蝕技術檢驗硅晶體完整性的方法。
本標準適用于晶向為<111>、<100>或<110>、電阻率為10-3 Ω·cm~104 Ω·cm、位錯密度在0cm-2~105cm-2之間的硅單晶錠或硅片中原生缺陷的檢驗。