標(biāo)準(zhǔn)編號:	GB/T 1553-1997
中文名稱:	硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定光電導(dǎo)衰減法
英文名稱:	Standard test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconductivity decay
中標(biāo)分類:	H21    金屬物理性能試驗方法
行業(yè)分類:	GB    國家標(biāo)準(zhǔn)
ICS分類:	77.040.01 77.040.01    金屬材料試驗綜合 77.040.01
發(fā)布機(jī)構(gòu):	國家技術(shù)監(jiān)督局
發(fā)布日期:	1997-06-03
實(shí)施日期:	1997-1-2
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):	superseded
被新標(biāo)準(zhǔn)替代:	GB/T 1553-2009 硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定光電導(dǎo)衰減法
被替代日期:	2010-6-1
作廢日期:	2010-06-01
替代舊標(biāo)準(zhǔn):	GB 1553-1979 硅單晶壽命直流光電導(dǎo)衰退測量方法 GB 5257-1985 鍺單晶少數(shù)載流子壽命直流光電導(dǎo)衰退測量方法
翻譯語言:	英文
文件格式:	PDF
中文字符數(shù):	16000 字
翻譯價格(元):	2440.0
交付時間:	付款后 1~3 個工作日

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅和鍺單晶體內(nèi)少數(shù)載流子壽命的測量方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于非本征硅和鍺單晶體內(nèi)載流子復(fù)合過程中非平衡少數(shù)載流子壽命的測量。