標準編號:	GB/T 14146-2021
中文名稱:	硅外延層載流子濃度的測試 電容-電壓法
英文名稱:	Test method for carrier concentration of silicon epitaxial layers - Capacitance-voltage method
中標分類:	H21    金屬物理性能試驗方法
行業分類:	GB    國家標準
ICS分類:	77.040 77.040    金屬材料試驗 77.040
發布機構:	國家市場監督管理總局 國家標準化管理委員會
發布日期:	2021-05-21
實施日期:	2021-12-1
標準狀態:	valid
替代舊標準:	GB/T 14146-2009 硅外延層載流子濃度測定 汞探針電容-電壓法
翻譯語言:	英文
文件格式:	PDF
中文字符數:	15000 字
翻譯價格(元):	960.0
交付時間:	付款后 1~3 個工作日

本文件規定了電容?電壓法測試硅外延層載流子濃度的方法，包括汞探針電容?電壓法和無接觸電容?電壓法。本文件適用于同質硅外延層載流子濃度的測試，測試范圍為4×1013 cm-3～8×1016 cm-3，其中硅外延層的厚度大于測試偏壓下耗盡層深度的兩倍。硅單晶拋光片和同質碳化硅外延片載流子濃度的測試也可以參照本文件進行，其中無接觸電容?電壓法不適用于同質碳化硅外延片載流子濃度的測試。