標(biāo)準(zhǔn)編號(hào):	GB/T 14146-1993
中文名稱:	硅外延層載流子濃度測(cè)定 汞探針電容--電壓法
英文名稱:	Silicon epitaxial layers--Determination of carrier concentration--Mercury probe Valtage-capacitance method
中標(biāo)分類:	H21    金屬物理性能試驗(yàn)方法
行業(yè)分類:	GB    國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
發(fā)布機(jī)構(gòu):	國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局
發(fā)布日期:	1993-02-06
實(shí)施日期:	1993-10-1
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):	superseded
被新標(biāo)準(zhǔn)替代:	GB/T 14146-2009 硅外延層載流子濃度測(cè)定 汞探針電容-電壓法
被替代日期:	2010-6-1
作廢日期:	2010-06-01
翻譯語(yǔ)言:	英文
文件格式:	PDF
中文字符數(shù):	5000 字
翻譯價(jià)格(元):	880.0
交付時(shí)間:	付款后 1~3 個(gè)工作日

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅外延層載流子濃度汞探針電容―電壓測(cè)量方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于同質(zhì)的硅外延層載流子濃度測(cè)量。